我们的 Purion M 离子注入机支持最广泛的中束流可用剂量,提供无与伦比的灵活性,以满足当今不断演变的注入需求。Purion M 的高能能力远超竞品注入机,是高等级晶圆厂或使用重气态元素的晶圆厂的理想之选。而且它比其他平台的能效高 20%,因而拥有成本在业内最低。

纯度

混合离子束路径设计结合磁场过滤和静电过滤,在所有能量级均可实现至高的金属污染防护性能,因而是图像传感器应用的理想选择。

精度

先进的角度控制功能,实现原位 X 和 Y 方向测量与控制的极高精度。独特的恒定焦距扫描在整个晶圆表面实现精确一致的离子束剂量、角度、能量和密度。

产能

独特的 EternaTM?ELS(长寿命离子源)离子源支持业界最广的能量范围(2 千电子伏特至 1 兆电子伏特),注入效率无与伦比。高速 Purion 基站可实现高达 500 片/小时的产量。Purion M 在量产型晶圆厂通过最大的 Al+ 束流和独特的热注入(温度高达 650℃)能力,助力碳化硅掺杂应用领域实现业界领先的产能。